GB/T 36356-2018 是中國國家標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)為該領(lǐng)域的設(shè)計、制造和測試提供了規(guī)范和指導(dǎo)。

一、范圍：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品(以下簡稱芯片)的技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、運輸和儲存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片。

二、試驗項目：
溫度循環(huán)試驗、循環(huán)濕熱試驗，恒加速度試驗等。

三、試驗設(shè)備：
溫度沖擊試驗箱、離心機等。

四、設(shè)備廠商：
環(huán)儀儀器

五、試驗程序（部分）：

1. 溫度循環(huán)
溫度循環(huán)試驗按GB/T 2423.22-2012的規(guī)定進行，試驗后符合3.5.3的規(guī)定。

2. 循環(huán)濕熱
循環(huán)濕熱試驗按GB/T 2423.4-2008的規(guī)定進行，試驗后符合3.5.4的規(guī)定。

3. 恒定加速度(適用于空腔封裝器件)
恒定加速度試驗按GB/T 2423.15-2008的規(guī)定進行，試驗后符合3.5.5的規(guī)定。

GB/T 36356-2018 是在中國廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的技術(shù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，有助于推動該領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)化和質(zhì)量控制。